800V平台SiC沟槽栅工艺切换指南：功率密度提升与温控方案
2026年全球新能源汽车新增装机中，800V高压平台渗透率已接近50%，碳化硅（SiC）MOSFET全面进入沟槽栅（Trench）时代。Omdia数据显示，沟槽栅结构凭借更低的导通电阻和几乎消除的JFET效应，使相同芯片面积下的电流输出能力提升了约30%。PG电子 在高性能逆变器模块中率先完成从平面...
行业资讯
800V高压平台渗透率过半，功率半导体液冷模块散热方案如何破局
全球新能源汽车高压快充演进至关键节点，第三方机构数据显示，国内800V高压平台车型产销占比已突破50%，这导致碳化硅（SiC）功率模块的需求量呈几何级数增长。但在实际应用场景中，SiC芯片由于单位面积发热量远超传统硅基IGBT，散热设计已成为制约整车能效提升的瓶颈。目前市场主流方案正从平面封装向双面...
2026年新能源车功率半导体准入门槛：从材料红利转向良率博弈
2026年全球新能源汽车渗透率已突破50%大关，单车功率半导体价值量较五年前翻了三倍。800V高压快充平台从20万级车型向下兼容，直接导致SiC MOSFET对传统IGBT的替代率在主逆变器领域超过六成。Yole Group数据显示，全球碳化硅功率器件市场规模已跨过80亿美元门槛，行业竞争的核心不再...
800V碳化硅模块报价分歧加大，PG电子与Tier 1供应商的技术博弈进入深水区
碳化硅（SiC）功率模块在2026年的市场定价表现出剧烈的离散性。根据行业机构数据显示，针对同等级别800V平台主逆变器的1200V SiC功率模块，头部国际IDM厂商与本土新兴供应商的报价差额已达到15%至22%。这一现象背后的核心逻辑在于8英寸晶圆产能释放节奏的不对称，以及封装工艺从传统的Pin...
800V高压架构渗透率过半，功率半导体售后维修进入“微米级”博弈
2026年第一季度数据显示，国内新能源汽车保有量已突破4500万辆，早期搭载碳化硅（SiC）功率模块的800V高压车型正式进入出保高峰。由于SiC功率模块单价常年维持在数千元量级，且与主驱逆变器高度集成，传统“只换不修”的售后模式正面临巨大的保费上调压力。行业数据显示，逆变器损坏占高压系统故障的三成...
800V高压平台放量，车企对功率半导体模块验收门槛微调
2026年上半年，国内新能源汽车渗透率稳定在55%左右，800V高压快充车型在纯电动车市场的占比迅速攀升至35%以上。这种市场结构变化直接导致主机厂对SiC（碳化硅）功率模块的验收逻辑发生重构。过去单纯追求峰值功率输出的阶段已经结束，现在的核心转向了全生命周期可靠性与极端工况下的性能余量。PG电子作...